Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Zozulia V$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
|
1. |
Zozulia V. O. The conflict within the concepts of needs Abraham Maslow and John Burton: archetypal analysis [Електронний ресурс] / V. O. Zozulia // Public manаgement. - 2017. - № 3. - С. 91-101. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/pubm_2017_3_10 The article contains the current information for the modern world on the topic of conflict needs and its impact on all aspects of human activity. The conflict of needs is seen not only as intrapersonal aspect, but also as a way of interpersonal interaction at the individual and a society. It reveals a causal relationship conflict and needs, their essence, the beginning of the analyzed those concepts by analyzing Abraham Maslow and John Burton. Also, given the archetypal analysis of conflict of needs considered in our investigation, which acts as an archetype ancient form filled with hereditary requirement value and type of interaction with the environment.Висвітлено конфлікт потреб і його вплив на всі складові людської життєдіяльності. Конфлікт потреб розглянуто не тільки як внутрішньо особистісний аспект, але і як спосіб міжособистісної взаємодії на рівні конкретного індивіда і суспільства в цілому. Розкрито причинно-наслідковий зв'язок конфлікту і потреби, їх сутність, початок розвитку на підставі аналізу концепцій Абрахама Маслоу і Джона Бертона. Надано архетипний аналіз конфлікту потреб, розглянутий в проведеному дослідженні, де архетип виступає давньою формою, наповненою спадковим значенням і потрібним видом взаємодії з навколишнім світом.Освещён конфликт потребностей и его влияния на все стороны человеческой жизнедеятельности. Конфликт потребностей рассмотрен не только как внутриличностный аспект, но и как способмежличностного взаимодействия на уровне конкретного индивида и общества в целом. Также, дается архетипический анализ конфликта потребностей, рассмотрен в проведенном нами исследовании, где архетип выступает древней формой, наполненной наследственным значением и потребностным видом взаимодействия с окружающим миром.
| 2. |
Botsula O. V. InGaAs- based Graded Gap Active Elements with Static Cathode Domain for Terahertz Range [Електронний ресурс] / O. V. Botsula, К. H. Prykhodko, V. A. Zozulia // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 1. - С. 01006-101006-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_1_8
| 3. |
Botsula O. V. Generation of THz Oscillations by Diodes with Resonant Tunneling Boundaries [Електронний ресурс] / O. V. Botsula, V. O. Zozulia // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 6. - С. 06037-1-06037-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_6_39 Діоди з резонансно-тунельною границею розглянуто як можливі джерела терагерцового діапазону. Діоди є планарними структурами з двома контактами, що містять провідний канал і активну бічну границю. Бічна границя являє собою двохбар'єрну резонансно-тунельну структуру на основі AlGaAs/GaAs, яка розміщуються між каналом і металевим електродом та електрично з'єднана з омічним контактом аноду. Принцип роботи діодів полягає у поєднанні ефекту міждолинного переносу в каналі та електронного транспорту через бічну границю, що призводить до збільшення частоти коливань та розширення частотного діапазону роботи. Аналіз проводився з використанням багаточастинкового методу Монте-Карло. Визначено ефективність коливань і частотні властивості діода. Показано існування співвідношення між максимальною ефективністю на конкретній частоті та величиною зміщення, що подається на діод. Встановлено, що максимальні значення ефективності генерації у разі роботи на низьких частотах відповідають великим напругам зміщення, тоді як на високих частотах низьким. Таким чином, існує можливість створення керованого напругою джерела коливань. Досліджено вплив положення резонансно-тунельної границі та величини легування на ефективність генерації діода. Положення активної границі ближче до катодного контакту призводить до зниження ефективності генерації та підвищення частоти. Показано можливість одержання генерації в діапазоні від 50 до 550 ГГц. Максимальна ефективність генерації склала 10 %, що відповідає частоті 110 ГГц.
| 4. |
Botsula O. V. Energy and Frequency Properties of Planar n+-n-n+ Diodes with Active Side Boundary [Електронний ресурс] / O. V. Botsula, V. O. Zozulia // Journal of nano- and electronic physics. - 2021. - Vol. 13, no. 6. - С. 06028-1-06028-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2021_13_6_30 Досліджено генерацію електромагнітних коливань у довгохвильовій частині терагерцового діапазону GaAs діодами. Діоди є планарними структурами довжиною 1,28 мкм, шириною 0,32 мкм та концентрацією донорної домішки <$E6~cdot~10 sup 22> м<^>-3. Вони мають провідний канал, якого розміщено на напівізолюючій підкладці, два контакти та активну бічну границю у вигляді області n-типу, яка розміщується між каналом і металевим електродом та електрично з'єднана з омічним контактом аноду. Електронні процеси в структурі аналізуються з використанням багаточастинкового методу Монте-Карло. Показано, що в таких діодах виникають нестійкості струму, які можна пов'язати з ефектом міждолинного переносу електронів. Проте залежності постійного струму від напруги не мають вираженої ділянки з від'ємною диференціальною провідністю, що пов'язано з існуванням областей з високою напруженістю електричного поля в анодній частині діода. Одночасне існування ефекту міждолинного переносу електронів в каналі та в області бічної границі призводить до збільшення частоти коливань та розширення частотного діапазону роботи. Визначено ефективність коливань та частотні властивості приладів та встановлено, що їх частотний діапазон роботи знаходиться в інтервалі від 100 до 300 ГГц, а максимальні значення ефективності генерації складають близько 3 % на частоті 150 - 180 ГГц. Досліджено вплив положення і розміру елементів бічної границі на частотні та енергетичні властивості приладів. Показано, що частотний діапазон діодів визначається в основному товщиною бічного активного елемента. Максимальну частоту генерації (до 300 ГГц) та ширину частотного діапазону одержано для діодів з товщиною бічного елемента 0,32 мкм, проте їх максимальна ефективність менше 1,4 %.
| 5. |
Botsula O. V. Planar n+-n-n+ Diode with Active Side Boundary on InP Substrate [Електронний ресурс] / O. V. Botsula, V. O. Zozulia, K. H. Prykhodko // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2023. - Vol. 15, no. 1. - С. 01011-1-01011-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2023_15_1_13
|
|
|